首发丨纳米银材料厂商「邦得凌」完成数千万元Pre-A轮融资,即将中试量产

时间:2021-12-03 12:16:48  来源:网络整理   www.pphome.com.cn

创业邦获悉,11月5日,光阻式银纳米线生产商深圳市邦得凌触控技术有限公司(下文简称:邦得凌)宣布获得数千万元Pre-A轮融资。本轮融资由星河资本领投,深圳中科华盛、青岛世纪联凯、青岛君领昇鑫跟投,将主要用在光阻银纳米线及其导电膜中试生产线的建设,以及邦得凌光刻胶产品的量产。

除此之外,在去年的疫情期间,邦得凌还获得了本翼资本数百万元的天使轮增资。

邦得凌创立于2018年11月,主要从事光阻式银纳米线有机透明导电浆料、光阻式有机透明导电膜,以及银纳米线光刻触控sensor的研发、生产及应用。邦得凌专注于研究触控显示及半导体行业的相关高分子的合成、负型光阻剂配方研究以及纳米材料与光阻剂复合技术,其技术团队具有顶层材料的设计开发能力,又熟悉底层器件的加工制造技术。邦得凌团队从2013年开始,就已经申请了多项负型光刻胶相关专利,形成了新型触控行业的专利垄断池。

邦得凌的创始人兼董事长任广辅,曾在北京维信诺科技—清华大学化学系实验室研发中心担任研发工程师,参与彩色光阻剂863课题研究。后进入日资背景的深圳企业,和日本专家一道主持RGB彩色光阻剂的国产化项目量产工作,期间先后为日本夏普的彩色滤光片供应彩色光阻剂产品,并配合京东方完成彩色光阻剂国产化项目十二五专项课题。

目前,市面上应用最广泛的触控屏电容材料是ITO(氧化铟锡)。ITO是一种金属氧化物,其本身呈不透明状态,当时的研究人员在技术上采用了真空镀膜的方式才使得ITO形成了透明、均匀的导电层,并在后来成为了触摸屏材料中的“扛把子”。

但是随着5G时代的到来,终端设备开始进入柔性触控阶段,折叠屏、曲面屏、超大屏幕等柔性屏的需求被越来越多的厂商注意到。华为、三星、小米、LG等手机厂商纷纷推出了可折叠屏幕机型,柔性OLED屏幕和折叠手机形态已经成为三星和华为等龙头厂商旗舰机型的首选。

而ITO由于本身的易折脆性已不能满足折叠屏、曲面屏的需求,面对80寸、100寸的超大屏幕,ITO也表现出金属导电能力下降、触控信号异常等问题。于是,众厂商不得不开始寻求能够应用在可折叠和超大触控设备上的电容材料。

放眼目前的新材料领域,具备替代ITO方案的潜在电容材料有银纳米线、金属网格、石墨烯等新型材料,而这些材料由于后续使用在触控产品上的稳定性和可靠性等原因,实际投入产业化且应用效果最好的只有银纳米线。

2013年,任广辅带领工程师团队创业,先后研发了OC光阻剂、半导体用负型光刻胶、纳米陶瓷光阻剂、量子点光阻剂等一系列纳米材料与光阻剂的特种复合材料。2016年,任广辅通过将银纳米线分散到特种光阻里的测试,成功合成光阻式银纳米线复合材料。

在导电物质中,新型银纳米线作为电容材料,受到了业界人士的广泛认可,由邦得凌研发的光阻式银纳米线则更是如此——光阻式银纳米线不仅在性能上表现更优,在应用到触摸屏的制造过程时,还省去了生产过程中镀膜和蚀刻的工序,直接采取涂布加光刻显影的工艺,使得成本比传统触控工艺要节省了近三分之二。

且传统的蚀刻工艺还需要用到极易造成环境污染的磷酸,这类传统的电镀、刻蚀等不环保工艺已不再被市场需要。而光阻式银纳米线的应用领域非常广泛,在需要大屏的教室和会议室、消费电子、可穿戴设备、汽车中控和各种智能家居产品中都有着广阔的应用前景。

邦得凌研发的光阻式有机银纳米线Sensor功能片已通过莱宝高科等下游客户的相关通电状态下的可靠性测试,包括超过1000小时未封装裸测、双85高温高湿测试、强UV 测试(1500小时)等。邦得凌的光阻式银纳米线经过了6年的打磨和上下游触控企业的验证,获得了产业上下游的认可,该项目具有三低特性:低能耗、低成本、低资产,以及三高特性:高性能、高效率、高收益。目前,邦得凌计划建设中试产线对该产品进行试产。

值得一提的是,由邦得凌团队研发的这款由多种基础材料合成的光阻式有机银纳米线属于世界首创,性能可达到工控级触控要求。

此外,邦得凌的其他光刻胶产品也已落地,初步具备大规模量产的条件。邦得凌有能力生产多种光刻胶产品,包括有机银纳米线光阻剂、OC光刻胶、负性光刻胶、陶瓷材料白色光阻剂、黑色光刻胶和彩色光刻胶等。

银纳米线是极具潜力的透明电容材料更新迭代者,不少银纳米线企业都在摩拳擦掌中,但从技术层面看,只有解决了材料在器件集成层面上的可靠性,才有可能成为柔性触控风口中的受益者。

而光刻胶的性能就决定了集成电路的集成度,进而决定了芯片的运行速度、功耗等关键参数,是集成电路制造工艺中最关键的材料。

邦得凌研制的负型光刻胶是一种丙烯酸共聚物树脂型、近紫外线曝光的光刻胶,分别适用于制造超厚(50-200um)和中厚(10-50um)MEMS微结构,以及普通膜厚(0.3-10um)的各种挖洞、字符等型貌的光刻线条,适合i、G线、X-Ray,D-beam曝光。负型光刻胶具有良好的热稳定性、抗刻蚀性、高分辨率、高深宽等特点,对近紫外350-400nm波段曝光最为敏感,即使在非常厚的膜厚(100um)下,曝光也能均匀一致,可得到具有Profile垂直侧壁和的厚膜图形。

根据SEMI 对于半导体光刻胶市场的统计,2015年全球市场规模约为13亿美元,2020年达到了21亿美元,同比增长超过20%;其中,中国半导体光刻胶市场从2015 年的 1.3 亿美元增长至2020年的3.5亿美元,同比增长了约40%。在晶圆厂扩产潮以及半导体产业链国产化如火如荼的趋势下,中国光刻胶厂商也迎来了绝佳的发展机遇。

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