Intel宣布先进CPU工艺路线图：EUV光刻今年量产 8年集成1万亿晶体管

在从今天凌晨的投资者会议上，Intel公布大量新处理器、新工艺的进展，力度非常猛，2025年之前就要量产5代先进工艺，推出4代酷睿处理器，一口气公布到了16代酷睿。

在这其中，CPU工艺是重中之重，也是Intel未来酷睿、至强、ARC显卡以及封装技术的基石，这次会议上Intel进一步明确了各代工艺的量产时间及性能情况，我们来看一下。

在过去的2021年，Intel最重要的一步当然是量产了Intel 7（之前的10nm SF工艺）工艺，以此为基础推出了12代酷睿Alder Lake，今年的13代酷睿Raptor Lake也会继续使用Intel 7工艺，提高产能、优化性能是重点，13代酷睿这次又增加了8个效能核，总计24核32线程。

现在是2022年了，Intel即将进入下一个节点——Intel 4，也就是之前的7nm，这一代工艺会首次使用EUV光刻机，Intel表示该工艺将在2022年下半年投产，其晶体管的每瓦性能将提高约20%。

首发Intel 4工艺的是14代酷睿Metor Lake，不过它要到2023年才能上市，而且除了Intel自己生产的CPU模块之外，还会使用台积电的N3工艺，应该是用于GPU模块等，如果没记错的话，这是Intel首次在官方路线图上确认使用其他厂商的工艺。

Intel 4工艺之后是Intel 3工艺，也是基于EUV光刻的，官方称Intel 3将具备更多功能，并在每瓦性能上实现约18%的提升，预计在2023年下半年投产。

不过从Intel的路线图来看，酷睿处理器不会使用Intel 3工艺了，因为15代酷睿Arrow Lake会直接使用20A工艺，后者是首款埃米级CPU工艺，支持RibbonFET和PowerVia这两项技术，每瓦性能上实现约15%的提升，2024年上半年投产，首发的可能是16代酷睿Lunar Lake。

2024年对Intel来说非常关键，因为下半年就会量产18A工艺了，是20A工艺的改进版，每瓦性能上将实现约10%的提升。

从Intel的路线图来看，他们在未来几年中非常激进，2025年之前要量产5代工艺，甚至在2024年推出两代先进工艺，跟之前四五年都没升级14nm、10nm工艺完全不同，野心非常大。

至于Intel的目标，那就是在2030年通过先进工艺RibbonFET、高NA EUV光刻机、Foveros 3D封装等各种技术，实现在单个设备中继承超过1万亿个晶体管，要知道目前最顶级的芯片（包括密度更高的GPU在内）也不过是百亿级晶体管，Intel要在8年内实现5-10倍的密度提升，再续摩尔定律辉煌。